FDPF035N06B:N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60 V，88 A，3.5 mΩ
FDPF035N06B 此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDPF035N06B_F152 | 量产 从2013年2月起符合绿色标准 |
$1.5 | TO-220F 3L 细节 TO-220F 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDPF 第三行:035N06B |
RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 3.24 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60 V，88 A，3.5 mΩ | FDPF035N06B | 1 |
