FDPF12N50UT UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET Ultra FRFETTM MOSFET 具有非常卓越的体二极管反向恢复性能。 其 trr 小于 50nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 20V/nsec,而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此,UniFET Ultra FRFET MOSFET 在要求 MOSFET 体二极管性能改进的某些应用中可消除多余的元件,并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
技术特性
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应用
实物参考图 |
产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
FDPF12N50UT | 量产 | $1.35 | TO-220F 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDPF 第三行:12N50UT |
RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 3 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
应用指南 | 说明 |
AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
AN-9762 | Fairchild Semiconductor Power33 Package Power MOSFET Solution in Multi-Cell Battery Protection Applications(629 K) 2012年7月19日 |
概述 | 文档编号 | 版本 |
N 沟道 UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 500V,10A,800mΩ | FDPF12N50UT | 1 |