FDPF8N50NZU:N 沟道 UniFETTM II Ultra FRFETTM MOSFET 500V，6.5A，1.2Ω
FDPF8N50NZU UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 UniFET II Ultra FRFETTM MOSFET有很多出色的体二极管反向恢复性能。 其 trr 小于 50nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 20V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，UniFET II Ultra FRFET MOSFET在要求MOSFET体二极管性能改进的某些应用可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDPF8N50NZU | 量产 从2010年1月起符合绿色标准 |
$1.03 | TO-220F 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDPF 第三行:8N50NZU |
RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 3.1 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 UniFETTM II Ultra FRFETTM MOSFET 500V，6.5A，1.2Ω | FDPF8N50NZU | 1 |
