FDS6679:-30 V P-Channel PowerTrench® MOSFET

FDS6679 该P沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计,采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器及电池充电器。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比,这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此,这是一款更易于驱动且更安全(在高频段也是如此)的MOSFET,可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

技术特性
  • -13 A, -30 V.
  • RDS(ON) = 9 m Ω (VGS = -10 V 时)
  • RDS(ON) = 13 mΩ (VGS = -4.5 V 时)
  • 为电池应用设计的扩展VGSS范围(±25V)
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 高功率和高电流处理能力
实物参考图

FDS6679 实物参考图

应用
  • 服务器和大型机 工作站 台式计算机 笔记本电脑 PC服务器 多媒体平板电脑 存储和外设 打印机 图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理 路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁 宽带接入 宽带调制解调器 企业语音网络 中央办公室 广播和工作室 其他有线通信 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器 移动通信基础设施 外部AC-DC商用电源-有线通信 其他无线通信 PMP/MP3播放器 家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视 摄像机 DVD机 机顶盒 DSC 视频游戏机 电子书阅读器 消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频 其他消费型电子 医疗电子/设备 自动化 测试和测量 楼宇和住宅控制 其他工业 军用和民用航空
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产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDS6679 量产 $0.725 SO 8L NB 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
&2 (2 位日期代码) &K
第二行:FDS
第三行:6679
FIT :  0.8  
RTHETA (JA) :  50  °C/W
RƟJC :  25  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
-30 V P-Channel PowerTrench® MOSFET FDS6679 1