FDS86140:100V N沟道PowerTrench® MOSFET。
FDS86140 这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDS86140 | 量产 | $0.97 |
SO 8L NB 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:FDS 第三行:86140 |
FIT : 5.1 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 1400 V |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 100V N沟道PowerTrench® MOSFET。 | FDS86140 | 1 |
