FDS8672S:30V N沟道PowerTrench® SyncFET™_BDTIC代理FDS8672S

FDS8672S:30V N沟道PowerTrench® SyncFET™

FDS8672S 设计用于替代同步DC/DC电源中的单一MOSFET和肖特基二极管。此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS8672S包含由MOSFET与肖特基二极管单片集成的专利组合，该组合使用飞兆的单片SyncFET技术。

技术特性

VGS = 10V，ID = 18A时，rDS(on) = 4.8 mΩ（最大值）
VGS = 4.5V，ID = 15A时，最大rDS(on) = 7.0 mΩ
包含SyncFET肖特基体二极管
高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)和快速开关
高功率和高电流处理能力
100%通过RG（栅极电阻）测试
终端是符合RoHS标准的无铅产品

实物参考图

应用

服务器和大型机工作站台式计算机笔记本电脑 PC服务器多媒体平板电脑存储和外设打印机图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁宽带接入宽带调制解调器企业语音网络中央办公室广播和工作室其他有线通信 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器移动通信基础设施外部AC-DC商用电源-有线通信其他无线通信 PMP/MP3播放器家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视摄像机 DVD机机顶盒 DSC 视频游戏机电子书阅读器消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频其他消费型电子医疗电子/设备自动化测试和测量楼宇和住宅控制其他工业军用和民用航空

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDS8672S	量产从2007年12月起符合绿色标准	$0.725	SO 8L NB 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:FDS 第三行:8672S	FIT : 3.6 RTHETA (JA) : 50 °C/W RƟJC : 25 °C/W

应用指南

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533	A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005	快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
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概述	文档编号	版本
30V N沟道PowerTrench® SyncFET™	FDS8672S	1

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