FDT3N40:N 沟道 UniFETTM MOSFET 400V，2A，3.4Ω
FDT3N40 UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 | 合格证书 |
| FDT3N40TF | 量产 | $0.39 |
SOT-223 4L 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDT3N40 |
RTHETA (JA) : 60 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 Max Reflow Temp : 250 |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 UniFETTM MOSFET 400V，2A，3.4Ω | FDT3N40 | 1 |
