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FDZ1323NZ:20V 共用漏极P沟道 2.5V 额定 PowerTrench® WL-CSP MOSFET

FDZ1323NZ 此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 FDZ1323NZ 采用飞兆先进的 PowerTrench®工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极N沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了 PCB 空间和 rS1S2(on)。此先进的 WLCSP MOSFET 彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低 rS1S2(on)融合为一体。

实物参考图

技术特性 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 4.5 V, IS1S2 = 1 A 时） 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 4 V, IS1S2 = 1 A 时） 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 3.8 V, IS1S2 = 1 A 时） 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.7 V, IS1S2 = 1 A 时） 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.1 V, IS1S2 = 1 A 时） 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.1 V, IS1S2 = 1 A 时） 只占用 3 mm2的 PCB 面积 超薄封装：安装到 PCB 时高度小于 0.35 毫米 高功率和高电流处理能力 HBM 静电放电保护等级 3.6 kV（注3） 符合RoHS标准

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订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDZ1323NZ	量产	$0.29	WL-CSP 6L 示意图 胶带卷轴	第一行:EC&K 第二行: (引脚 1)  &2 (2 位日期代码) &Z (工厂编码)	FIT :  5.6   RTHETA (JA) :  62  °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) :  1

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
20V 共用漏极P沟道 2.5V 额定 PowerTrench® WL-CSP MOSFET	FDZ1323NZ	1