FDZ375P 的设计采用飞兆先进的1.5 V PowerTrench®工艺以及一流的"微间距"薄型WLCSP封装工艺,可最大限度地减少PCB空间和rDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展,使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rDS(on)融合为一体
技术特性
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应用
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产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
FDZ375P | 量产 | $1.6 | WL-CSP 4L 细节
WL-CSP 4L 示意图
胶带卷轴 |
第一行:Y (二进制历年编码) 第二行:E(空间) N&G (周日期代码) 第三行: (引脚 1) |
FIT : 1.8 ESD (CDM) : 1500 V ESD (HBM) : 400 V |
应用指南 | 说明 |
AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
AN-9067 | LLC 谐振变换器中MOSFET失效模式的分析(1,635 K) 2013年4月15日 |
概述 | 文档编号 | 版本 |
-20V P沟道1.5V 额定PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET | FDZ375P | 1 |