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FDZ661PZ:-20V P沟道1.5 V额定PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET

FDZ661PZFDZ661PZ采用飞兆半导体先进的1.5 V PowerTrench®工艺以及一流的“微间距”薄型WLCSP封装工艺，可最大限度地减小PCB空间和rDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型(0.4 mm)和小型(0.8x0.8 mm2)封装、低栅极电荷和低rDS(on)融为一体。

实物参考图

技术特性 在VGS = 4.5 V，ID = 2 A时，最大rDS(on) = 140 mΩ 在VGS = 2.5 V，ID = -1.5 A时，最大rDS(on) = 182 mΩ 在VGS = 1.8 V，ID = -1 A时，最大rDS(on) = 231 mΩ 在VGS = 1.5 V，ID = -1 A时，最大rDS(on) = 315 mΩ 仅占0.64 mm2的PCB空间。 小于16%的2 x 2 BGA空间 超薄型封装： 安装至PCB时，高度小于0.4 mm HBM静电放电保护等级2 kV（注3） 符合RoHS标准

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订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDZ661PZ	量产	$0.261	WL-CSP 4L 示意图 胶带卷轴	第一行:E&K	FIT :  1.8   RTHETA (JA) :  93  °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) :  1

应用指南

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
-20V P沟道1.5 V额定PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET	FDZ661PZ	1