FQA9P25:P-Channel QFET® MOSFET -250V, -10.5A, 620mΩ

FQA9P25 该P沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和DMOS技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器

技术特性
  • -10.5A, -250V, RDS(on)= 620mΩ(最大值)@VGS = -10 V, ID = -5.25A
  • 低栅极电荷(典型值 29nC)
  • 低 Crss(典型值 27pF)
  • 100%经过雪崩击穿测试
应用
  • 其他音频与视频
实物参考图

FQA9P25 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FQA9P25 量产 $1.5 TO-3P 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
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第二行:FQA
第三行:9P25
RTHETA (JA) :  40  °C/W
RƟJC :  0.83  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
P-Channel QFET® MOSFET -250V, -10.5A, 620mΩ FQA9P25 1