FQD6N60C:N 沟道 QFET® MOSFET 600 V、4 A、2.0 Ω
FQD6N60C 这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 | 合格证书 |
| FQD6N60CTM_WS | CUSTOM PROD.FULLY RELEASED. | N/A |
TO-252 3L (DPAK) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQD 第三行:6N60CS |
RTHETA (JA) : 50 °C/W RƟJC : 1.56 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1 |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 QFET® MOSFET 600 V、4 A、2.0 Ω | FQD6N60C | 1 |
