FQI7N80:800V N沟道QFET®
FQI7N80 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 | 合格证书 |
| FQI7N80TU | 量产 | $2.1 | TO-262 3L (I2PAK) 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQI 第三行:7N80 |
RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 0.75 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
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| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
| AN-9067 | LLC 谐振变换器中MOSFET失效模式的分析(1,635 K) 2013年4月15日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 800V N沟道QFET® | FQI7N80 | 1 |
