FQPF2N80YDTU:N-Channel QFET® MOSFET
FQPF2N80YDTU This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
技术特性
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 | 合格证书 |
| FQPF2N80YDTU | 量产 | N/A | TO-220F 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQPF 第三行:2N80 |
RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 3.57 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N-Channel QFET® MOSFET | FQPF2N80YDTU | 1 |
