FQU5N60C:N-Channel QFET® MOSFET 600V, 2.8A, 2.5Ω

FQU5N60C 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FQU5N60CTU	量产	$0.7	TO-251 3L (IPAK) 示意图	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQU 第三行:5N60C	RTHETA (JA) : 50 °C/W RƟJC : 2.56 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
N-Channel QFET® MOSFET 600V, 2.8A, 2.5Ω	FQU5N60C	1