FQU8P10:N 沟道 QFET® MOSFET -100V，-6.6A，530mΩ

FQU8P10 该P沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FQU8P10TU	量产	$0.53	TO-251 3L (IPAK) 示意图	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQU 第三行:8P10	RTHETA (JA) : 50 °C/W RƟJC : 2.84 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
N 沟道 QFET® MOSFET -100V，-6.6A，530mΩ	FQU8P10	1