| 部件编号 | 说明 | ID（导通）（最小值） | 极性 | BVDSS (V) | hFE（最小值） | VCE [hFE测试条件] (V) | IC [hFE 测试条件] (mA) | ID vs. 温度 | PD (mW) | VCE(sat) (V) | IB [VCE(sat) 测试条件] (mA) | VCBO (V) | VEBO (V) | fT (MHz) | 封装 |
| FDMA1430JP | -30V 集成式 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 和 BJT | -2.9A@VGS=-4.5V, -2.6A@VGS=-2.5V, -1.7A@VGS=-1.8V, -1.0A@VGS=-1.5V | P | -30 | 68 | 0.3 | 5 | 1500 | 0.3 | 0.5 | 50 | 10 | 250 | MLP 2x2 6L (MicroFET) |
