FCB11N60:N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 11A, 380mΩ

FCB11N60 SuperFET® MOSFET 是飞兆半导体®第一代利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结(SJ)MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此,SuperFET MOSFET产品非常适合开关电源应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用

技术特性
  • 650V @TJ = 150°C
  • 典型值 RDS(on) = 320mΩ
  • 超低栅极电荷(典型值 Qg = 40nC )
  • 低有效输出电容(典型值 Coss.eff = 95pF )
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • 不间断电源 PDP电视 PC服务器 笔记本电脑 照明 LED TV LCD 电视 LCD监视器 EMS DVD/机顶盒 台式计算机 DC-DC商用电源 消费型设备 AC-DC商用电源
实物参考图

FCB11N60 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FCB11N60TM 量产 $2.88 TO-263 2L (D2PAK) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FCB
第三行:11N60
RTHETA (JA) :  62.5  °C/W
RƟJC :  1  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  1  
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 11A, 380mΩ FCB11N60 1