FCP13N60N:N 沟道 SupreMOS® MOSFET 600V, 10.8A, 299mΩ

FCP13N60N SupreMOS® MOSFET是飞兆半导体®的下一代高压超级结(SJ)技术,该技术采用区别于传统SJ MOSFET产品的深沟槽填充工艺。 这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-resistance(导通电阻规格),卓越的开关性能和耐用性。 SupreMOS MOSFET技术适用于高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用

技术特性
  • RDS(on) = 255mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 5.4A
  • 超低栅极电荷(典型值 Qg = 27.4nC )
  • 低有效输出电容(典型值 Coss.eff = 130pF )
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • AC-DC商用电源 消费型设备 DC-DC商用电源 台式计算机 DVD/机顶盒 EMS LCD监视器 LCD 电视 LED TV 照明 笔记本电脑 PC服务器 PDP电视 不间断电源
实物参考图

FCP13N60N 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FCP13N60N 量产 $2.88 TO-220 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FCP
第三行:11N60N
FIT :  1.2  
RTHETA (JA) :  62.5  °C/W
RƟJC :  1.33  °C/W
应用指南
应用指南 说明
AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
AN-9010 MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日
AN-9065 FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日
数据资料DataSheet下载
概述 文档编号 版本
N 沟道 SupreMOS® MOSFET 600V, 10.8A, 299mΩ FCP13N60N 1