FCPF260N60E SuperFET®II MOSFET 是飞兆半导体全新的高电压超级结 MOSFET 系列产品,采用先进的电荷平衡技术,实现极低的通态电阻和更低的栅极电荷。 该先进 MOSFET 经专门设计,不仅可最大程度地减少传导损耗,而且还能实现卓越的开关性能。 除了这些优势,与传统的超级结 MOSFET 相比,该产品还可耐受极高的 dv/dt 和较高的雪崩能量。 SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化场景的各种开关电源应用。
技术特性
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实物参考图应用
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产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
FCPF260N60E | 量产 从2012年10月起符合绿色标准 |
$2.75 | TO-220F 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FCPF 第三行:260N60E |
RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 3.5 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
应用指南 | 说明 |
AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
概述 | 文档编号 | 版本 |
N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600V, 15A, 260mΩ | FCPF260N60E | 1 |