FCPF260N60E:N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600V, 15A, 260mΩ

FCPF260N60E SuperFET®II MOSFET 是飞兆半导体全新的高电压超级结 MOSFET 系列产品,采用先进的电荷平衡技术,实现极低的通态电阻和更低的栅极电荷。 该先进 MOSFET 经专门设计,不仅可最大程度地减少传导损耗,而且还能实现卓越的开关性能。 除了这些优势,与传统的超级结 MOSFET 相比,该产品还可耐受极高的 dv/dt 和较高的雪崩能量。 SuperFET II MOSFET 适用于系统小型化和高效化场景的各种开关电源应用。

技术特性
  • TJ = 150°C 时为 650 V
  • 最大值 RDS(on) = 260mΩ
  • 超低栅极电荷(典型值 Qg = 48nC )
  • 低有效输出电容(典型值 Coss.eff = 129pF )
  • 100% 经过雪崩击穿测试
实物参考图

FCPF260N60E 实物参考图

应用
  • 不间断电源 PDP电视 PC服务器 笔记本电脑 照明 LED TV LCD 电视 LCD监视器 EMS DVD/机顶盒 台式计算机
订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FCPF260N60E 量产
从2012年10月起符合绿色标准
$2.75 TO-220F 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FCPF
第三行:260N60E
RTHETA (JA) :  62.5  °C/W
RƟJC :  3.5  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600V, 15A, 260mΩ FCPF260N60E 1