FCPF36N60N SupreMOS MOSFET是飞兆新一代高压超级结MOSFET，它采用了深度沟道填充工艺，与先前的基于多EPI的技术相比，具有很大的优势。 SupreMOS利用该高级技术和精确的工艺控制，提供了世界一流的RSP、超级开关性能和坚固性。 该SupreMOS MOSFET可满足业界AC-DC SMPS对PFC、服务器/通信电源、FPD TV电源、ATX电源和工业电源应用的要求。
技术特性
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| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FCPF36N60NT | 量产 从2012年8月起符合绿色标准 |
N/A | TO-220F 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FCPF 第三行:36N60NT |
RTHETA (JA) : 62.5 °C/W RƟJC : 3.5 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
| 应用指南 | 说明 |
| AN-558 | Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日 |
| AN-6099 | 采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日 |
| AN-7510 | A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日 |
| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
| AN-9005 | 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日 |
| AN-9010 | MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日 |
| AN-9065 | FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日 |
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 SupreMOS® MOSFET 600V, 36A, 90mΩ | FCPF36N60N | 1 |
