FDC8602:100V双N沟道PowerTrench® MOSFET
FDC8602 这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDC8602 | 量产 | $0.261 |
SSOT 6L 示意图
胶带卷轴 |
第一行:E(空间) Y (二进制历年编码) 第二行:.862 |
FIT : 5.1 ESD (CDM) : 1500 V ESD (HBM) : 150 V |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 100V双N沟道PowerTrench® MOSFET | FDC8602 | 1 |
