FDD86113LZ:100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET_BDTIC代理FDD86113LZ

FDD86113LZ:100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

FDD86113LZ 这一N沟道逻辑电平MOSFET器件采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

技术特性

屏蔽栅极 MOSFET 技术
VGS = 10 V, ，ID = 4.2A时，最大rDS(on)
= 104 mΩ￭ VGS= 4.5 V，ID = 3.4A时，最大rDS(on)
= 156 mΩ￭ HBM 静电放电保护等级 6 kV 典型值（注 4）
高性能技术可实现极低的rDS(on)
高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
100%经过UIL测试
符合 RoHS 标准

应用

台式计算机

实物参考图

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDD86113LZ	量产从2011年10月起符合绿色标准	$0.54	TO-252 3L (DPAK) 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FDD 第三行:86113LZ	FIT : 3.6 ESD (HBM) : 6000 V RTHETA (JA) : 96 °C/W

应用指南

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
AN-7533	A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日
AN-9005	快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计(2,150 K) 2013年6月27日
AN-9010	MOSFET Basics(361 K) 2011年3月05日
AN-9065	FRFET® in Synchronous Rectification(156 K) 2013年2月14日

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概述	文档编号	版本
100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET	FDD86113LZ	1

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