FDME1024NZT:20V双N沟道Power Trench® MOSFET

FDME1024NZT 该器件专门设计为单封装解决方案,符合蜂窝手机和其他超便携应用的双通道开关要求。 该器件具有两个带低通态电阻的独立N沟道MOSFET,可最大限度地降低传导损耗。 MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧,却能提供出色的热性能,非常适合开关和线性模式应用

技术特性
  • VGS = 4.5 V,ID = 3.4 A时,Max rDS(on)
    = 66 mΩ
  • VGS = 2.5 V,ID = 2.9 A时,Max rDS(on)
    = 86 mΩ
  • VGS = 1.8 V,ID = 2.5 A时,Max rDS(on)
    = 113 mΩ
  • VGS = 1.5 V,ID = 2.1 A时,Max rDS(on)
    = 160 mΩ
  • 薄型: 0.55 mm最大值,新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
  • 不含有卤化合物和氧化锑
  • HBM ESD保护等级1,600V(注3)强/强
  • 符合RoHS标准
实物参考图

FDME1024NZT 实物参考图

应用
  • 服务器和大型机 工作站 台式计算机 笔记本电脑 PC服务器 多媒体平板电脑 存储和外设 打印机 图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理 路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁 宽带接入 宽带调制解调器 企业语音网络 中央办公室 广播和工作室 其他有线通信 手机 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器 移动通信基础设施 外部AC-DC商用电源-有线通信 其他无线通信 PMP/MP3播放器 家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视 摄像机 DVD机 机顶盒 DSC 视频游戏机 电子书阅读器 消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频 其他消费型电子 医疗电子/设备 自动化 测试和测量 楼宇和住宅控制 其他工业 军用和民用航空
订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDME1024NZT 量产
从2009年7月起符合绿色标准
$0.247 UMLP 1.6x1.6 6L (MicroFET) 示意图
胶带卷轴
第一行:E(空间) 
Y (二进制历年编码) 
FIT :  1.8  
ESD (CDM) :  1500  V
ESD (HBM) :  1600  V
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
20V双N沟道Power Trench® MOSFET FDME1024NZT 1