技术特性

• Q1： N沟道
  • 最大值 RDS(on) = 66mΩ（VGS = 4.5V，ID = 3.4A
  ）
  • 最大值 RDS(on) = 86mΩ（VGS = 2.5V，ID = 2.9A
  ）
  • 最大值 RDS(on) = 113mΩ（VGS = 1.8V，ID = 2.5A
  ）
  • 最大值 RDS(on) = 160mΩ（VGS = 1.5V，ID = 2.1A）
• Q2： P沟道
  • 最大值 RDS(on) = 142mΩ（VGS = -4.5V，ID = -2.3A
  ）
  • 最大值 RDS(on) = 213mΩ（VGS = -2.5V，ID = -1.8A
  ）
  • 最大值 RDS(on) = 331mΩ（VGS = -1.8V，ID = -1.5A
  ）
  • 最大值 RDS(on) = 530mΩ（VGS = -1.5V，ID = -1.2A
  ）
  • 薄型： 最大0.55 mm，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
    
  • 无卤素化合物和锑氧化物
    
  • HBM ESD保护电平1600V（参考数据表3）
    
  • 符合RoHS标准

应用

• 服务器和大型机 工作站 台式计算机 笔记本电脑 PC服务器 多媒体平板电脑 存储和外设 打印机 图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理 路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁 宽带接入 宽带调制解调器 企业语音网络 中央办公室 广播和工作室 其他有线通信 手机 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器 移动通信基础设施 外部AC-DC商用电源-有线通信 其他无线通信 PMP/MP3播放器 家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视 摄像机 DVD机 机顶盒 DSC 视频游戏机 电子书阅读器 消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频 其他消费型电子 医疗电子/设备 自动化 测试和测量 楼宇和住宅控制 其他工业 军用和民用航空

实物参考图