FDMS7620S:30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET
FDMS7620S 该器件包含两个专用MOSFET，采用独特的双功率56封装。 该器件设计用于提供一个最佳效率和PCB使用的同步降压功率级。 低开关损耗“高端”MOSFET通过一个低导通损耗“低端”SyncFET互补。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FDMS7620S | 量产 从2011年1月起符合绿色标准 |
$0.35 |
MLP 5x6 8L (Power 56) 示意图
胶带卷轴 |
第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:FDMS 第三行:7620S |
FIT : 5.4 ESD (HBM) : 200 V RTHETA (JA) : 50 °C/W |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| AN-7533 | A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation(132 K) 2011年3月05日 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 30V 双N沟道PowerTrench® MOSFET | FDMS7620S | 1 |
