FDPF5N50UT:N 沟道 UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 500V,4A,2Ω

FDPF5N50UT UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET Ultra FRFETTM MOSFET 具有非常卓越的体二极管反向恢复性能。 其 trr 小于 50nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 20V/nsec,而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此,UniFET Ultra FRFET MOSFET 在要求 MOSFET 体二极管性能改进的某些应用中可消除多余的元件,并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

技术特性
  • RDS(on) = 1.65Ω (典型值)@ VGS = 10V, ID = 2A
  • 低栅极电荷(典型值 11nC)
  • 低 Crss(典型值 5pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 处理能力
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • AC-DC商用电源 消费型设备 DC-DC商用电源 台式计算机 DVD/机顶盒 EMS LCD监视器 LED TV 照明 LCD 电视 笔记本电脑 PC服务器 PDP电视 不间断电源
实物参考图

FDPF5N50UT 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDPF5N50UT 量产 $0.92 TO-220F 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FDPF
第三行:5N50UT
RTHETA (JA) :  62.5  °C/W
RƟJC :  4.5  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
FDPF5N50UTYDTU 直到2013年9月14日接受最后一次购买 N/A TO-220F 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
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RTHETA (JA) :  62.5  °C/W
RƟJC :  4.5  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 500V,4A,2Ω FDPF5N50UT 1