FDPF8N50NZU:N 沟道 UniFETTM II Ultra FRFETTM MOSFET 500V,6.5A,1.2Ω

FDPF8N50NZU UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻,还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外,内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 UniFET II Ultra FRFETTM MOSFET有很多出色的体二极管反向恢复性能。 其 trr 小于 50nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 20V/nsec,而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此,UniFET II Ultra FRFET MOSFET在要求MOSFET体二极管性能改进的某些应用可消除多余的元件,并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

技术特性
  • RDS(on) = 1.0Ω (典型值)@ VGS = 10V, ID = 3.25A
  • 低栅极电荷(典型值 14nC)
  • 低 Crss(典型值 5pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 处理能力
  • 改进了 ESD 防护能力
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • AC-DC商用电源 消费型设备 DC-DC商用电源 台式计算机 DVD/机顶盒 EMS LCD监视器 LCD 电视 LED TV 照明 笔记本电脑 PC服务器 PDP电视 不间断电源
实物参考图

FDPF8N50NZU 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDPF8N50NZU 量产
从2010年1月起符合绿色标准
$1.03 TO-220F 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
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第二行:FDPF
第三行:8N50NZU
RTHETA (JA) :  62.5  °C/W
RƟJC :  3.1  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 UniFETTM II Ultra FRFETTM MOSFET 500V,6.5A,1.2Ω FDPF8N50NZU 1