FDS86252:150V N沟道Power Trench® MOSFET

FDS86252 这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDS86252	量产	$0.8	SO 8L NB 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:FDS 第三行:86252	FIT : 5.1 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 600 V

应用指南	说明
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概述	文档编号	版本
150V N沟道Power Trench® MOSFET	FDS86252	1