FDS8935:-80V双P沟道PowerTrench® MOSFET_BDTIC代理FDS8935

FDS8935:-80V双P沟道PowerTrench® MOSFET

FDS8935 此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(on)、开关性能和稳固性进行了优化

技术特性

最大rDS(on) = 183 mO （VGS = -10 V, ID = -2.1 A）
最大值rDS(on) = 247 mO （VGS = -4.5 V, ID = -1.9 A）
高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
100%经过UIL测试
符合RoHS标准

实物参考图

应用

服务器和大型机工作站台式计算机笔记本电脑 PC服务器多媒体平板电脑存储和外设打印机图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁宽带接入宽带调制解调器企业语音网络中央办公室广播和工作室其他有线通信手机 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器移动通信基础设施外部AC-DC商用电源-有线通信其他无线通信 PMP/MP3播放器家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视摄像机 DVD机机顶盒 DSC 视频游戏机电子书阅读器消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频其他消费型电子医疗电子/设备自动化测试和测量楼宇和住宅控制其他工业军用和民用航空

订购信息 Ordering Information

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持
FDS8935	量产从2010年9月起符合绿色标准	$0.45	SO 8L NB 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行:FDS 第三行:8935	FIT : 1.6 ESD (CDM) : 2000 V ESD (HBM) : 300 V

应用指南

应用指南	说明
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AN-7510	A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options(222 K) 2011年3月05日
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概述	文档编号	版本
-80V双P沟道PowerTrench® MOSFET	FDS8935	1

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