FGA180N33ATD:330 V PDP 沟道 IGBT
FGA180N33ATD 飞兆半导体®的新型系列沟道IGBT产品采用新型沟道IGBT技术，为PDP TV等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。
技术特性
应用
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实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FGA180N33ATDTU | 量产 | $3.23 | TO-3P 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGA180N33 第三行:ATD |
RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 0.32 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 330 V PDP 沟道 IGBT | FGA180N33ATD | 1 |
