FGA25S125P:1250V,25A,短路阳极 IGBT

FGA25S125P 飞兆半导体®的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术,为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置,具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉设计。

技术特性
  • 高速开关
  • 低饱和电压:VCE(sat) =1.8V @ IC = 25A
  • 高输入阻抗
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • 消费型设备
实物参考图

FGA25S125P 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FGA25S125P 量产 $2.03 TO-3P 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FGA25S
第三行:125P
RTHETA (JA) :  40  °C/W
RƟJC :  0.6  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
应用指南
应用指南 说明
AN-4155 适用于感应加热应用的飞兆半导体第二代、场截止、阳极短路、沟道 IGBT(650 K) 2013年7月10日
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概述 文档编号 版本
1250V,25A,短路阳极 IGBT FGA25S125P 1