FGA60N65SMD:650V,60A,场截止IGBT

FGA60N65SMD 飞兆半导体®的场截止第二代IGBT新系列采用新型场截止IGBT技术,为光伏逆变器、UPS、焊机、感应加热、通讯、ESS和PFC等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

技术特性
  • 最大结温TJ =175 °C
  • 正温度系数,易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压:VCE(sat) =1.9V(典型值)@ IC = 60A
  • 快速开关:EOFF =7.5uJ/A
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • 发电和配电
  • 不间断电源
  • 其他工业
实物参考图

FGA60N65SMD 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FGA60N65SMD 量产 $4.03 TO-3P 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FGA60N65
第三行:SMD
RTHETA (JA) :  40  °C/W
RƟJC :  0.25  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
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概述 文档编号 版本
650V,60A,场截止IGBT FGA60N65SMD 1