FGH50T65UPD:650V，50A，场截止沟道 IGBT
FGH50T65UPD 飞兆半导体®的新型场截止沟道IGBT系列产品采用创新型场截止沟道IGBT技术，为光伏逆变器、UPS、焊机和数字功率产生器等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 |
| FGH50T65UPD | 量产 | N/A | TO-247 3L 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FGH50T65 第三行:UPD |
RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 0.44 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
数据资料DataSheet下载
| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| 650V，50A，场截止沟道 IGBT | FGH50T65UPD | 1 |
