FGH60N60UFD:600V,60A,场截止IGBT

FGH60N60UFD 飞兆半导体®的场截止IGBT系列采用新型场截止IGBT技术,为光伏逆变器、UPS、焊机和PFC等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

技术特性
  • 高电流能力
  • 低饱和电压: VCE(sat) = 1.9V @ IC = 60A
  • 高输入阻抗
  • 快速开关: EOFF =14uJ/A
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • 发电和配电
实物参考图

FGH60N60UFD 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FGH60N60UFDTU 量产 $6.32 TO-247 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FGH60N60
第三行:UFD
RTHETA (JA) :  40  °C/W
RƟJC :  0.33  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
数据资料DataSheet下载
概述 文档编号 版本
600V,60A,场截止IGBT FGH60N60UFD 1