FGL35N120FTD:1200V,35A,场截止沟道IGBT

FGL35N120FTD 飞兆半导体®的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS 和焊机等硬开关应用提供最佳性能

技术特性
  • 场截止沟道技术
  • 高速开关
  • 低饱和电压: VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35A
  • 高输入阻抗
应用
  • 发电和配电
  • 不间断电源
实物参考图

FGL35N120FTD 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FGL35N120FTDTU 量产 $5.64 TO-264 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FGL35N120
第三行:FTD
RTHETA (JA) :  25  °C/W
RƟJC :  0.34  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  NA  
数据资料DataSheet下载
概述 文档编号 版本
1200V,35A,场截止沟道IGBT FGL35N120FTD 1