FQD2N90:N 沟道 QFET® MOSFET 900V,1.7A,7.2Ω

FQD2N90 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

技术特性
  • 1.7A,900V,RDS(on) = 7.2Ω(最大值)(VGS = 10 V 且 ID = 0.85A 时)
  • 低栅极电荷(典型值 12nC)
  • 低 Crss(典型值 5.5pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
应用
  • LED TV CRT/RPTV
实物参考图

FQD2N90 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持 合格证书
FQD2N90TM 量产 $0.86 TO-252 3L (DPAK) 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FQD
第三行:2N90
RTHETA (JA) :  50  °C/W
RƟJC :  2.5  °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL) :  1  
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 QFET® MOSFET 900V,1.7A,7.2Ω FQD2N90 1