FQD2P40:P 沟道 QFET® MOSFET -400 V、-1.56 A、6.5Ω

FQD2P40 该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

产品	生态状况	价格	封装信息	封装标记规则	资格支持	合格证书
FQD2P40TM	量产	$0.68	TO-252 3L (DPAK) 示意图胶带卷轴	第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQD 第三行:2P40	RTHETA (JA) : 50 °C/W RƟJC : 3.29 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : 1	RoHS IPC1752 RoHS IPC1752 RoHS/REACH/JIG

应用指南	说明
AN-558	Introduction to Power MOSFETs and their Applications(244 K) 2013年5月03日
AN-6099	采用屏蔽式栅极技术的新型 PowerTrench®MOSFET 提高同步整流应用的系统效率和功率密度(1,295 K) 2013年6月27日
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概述	文档编号	版本
P 沟道 QFET® MOSFET -400 V、-1.56 A、6.5Ω	FQD2P40	1