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MC9S08RD16CDWE：8位HCS08中央处理器28pin SOIC

MC9S08RD16CDWE 是低成本、高性能的HCS08 系列 8 位微控制器单元（MCU）的成员之一。该系列的所有 MCU 均采用增强型 HCS08 内核，并提供多种模块、内存大小、类型和封装形式。

MC9S08RD16CDWE 的特性

HCS08 系列的标准特性

• 电池寿命延长技术：
  • 多种电源管理模式，包括低至 100 nA 的关断电流（电压 2V）
  • 可选择采用内部定时器和内部振荡器的自动唤醒功能，当电压为 2V 时，其典型电流为 700 nA
  • 1.8 V ～ 3.6 V 运行
• 需要时可以实现的高性能：
  • 电压低至 1.8 V 时，最小指令周期达 125nsec（8 MHz 总线）
• 创新的内置触发/跟踪调试功能：
  • 单线式背景调试模式
  • 具有 9 种触发模式和 3 个断点的追踪功能

MC9S08RD16CDWE 的特性

• 8 MHz 内部总线频率
• 具有块保护和加密功能的 16 K 字节 FLASH 存储器
• 1 K 字节的内置随机存取存储器（RAM）
• 能采用晶体或谐振器工作的低功耗振荡器，频率为 1 ~ 16 MHz
• 串行通信接口模块（SPII）
• 双通道、16 位定时器/脉宽调制器模块，每个通道都可选作输入捕捉、输出比较和边缘或中心对齐的 PWM 功能
• 在 1.8V 电压下可选择低电压检测/复位，还有低电池电压报警

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• MC9S08RD16CDWE：28pin SOIC

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