3DA109 型晶体管
- 结构名称：NPN硅外延平面高频大功率晶体管。
等级标记：Ⅱ类 - 主要用途： 1.6—30MHz50W单边带通讯设备及其它通讯设备中作功率放大，通过功率合成的方法、输出峰包功率可以从几十瓦到几百瓦。
- 外形图：F-2C型
3DA109 型晶体管参数
| 序号 | 参数 | 单位 | 测试条件 | 规范值 |
| 1 | PCM | W | Tc≤70℃ | 50 |
| 2 | IC | A | 8 | |
| 3 | TjM | ℃ | 175 | |
| 4 | ICBO | mA | VCB=30V | ≤5 |
| 5 | BV CEO | V | ICE=20mA | ≥50 |
| 6 | BV EBO | V | IEB=20mA | ≥3 |
| 7 | VCE(sat) | V | IC=5A，IB=1A | ≤2.5 |
| 8 | hFE | VCE=5V，IC=3A | 10~80 | |
| 9 | PO | W | f=30MHz，VC=28V，Pi（pep）=4W | ≥50 |
3DA109 型晶体管封装尺寸图
