3DG32G型晶体管

3DG32   电参数
序号 参数 单位 测试条件 规 范 值
1 PCM mW   300
2 IC mA   30
3 TjM  ℃   175
4 ICBO μA VCB=10V ≤0.1
5 ICEO μA VCE=10V ≤0.1
6 V(BR)CBO V ICB=50μA ≥40
7 V(BR)CEO V ICE=50μA ≥30
8 V(BR)EBO V IEB=50μA ≥3
9 VBE(sat) V IC=10mA,IB=1mA ≤0.9
10 VCE(sat) V IC=10mA,IB=1mA ≤0.3
11 hFE   VCE=10V,IC=10mA 40~120
12 fT MHz f=100MHz,VCE=10V,IC=10mA  300~650

允许测试误差±10%

NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表

hFE 40~55 55~80 80~120
色标 绿

3DG32G 晶体管B-2 型封状尺寸图

3DG32G 晶体管B-2 型封状尺寸图