功能表
功能 | 输 | 入 | 输出 |
---|---|---|---|
片选 | 写使能 | ||
写 | L | L | Z |
读 | L | H | 输入数据的补码 |
禁止 | H | × | Z |
H=高电平 L=低电平 ×=不定 Z=禁态(高阻态 )
这种单片 64位 TTL随机存贮器(RAM)为4位16字结构,为反相三态输出。具有高性能肖特基钳位特性,同时还有快速片选存取,以提高系统的译码水平。三态输出具有集电极开路输出所有的图腾柱输出的速度,它能通过总线与同类输出相连,而且它还保持了 TTL图腾柱输出所具有的上升速度快的特性。 写周期:
当片选和写使能输入为低电平时,存储器中存储器输出被禁止为高阻态(三态).贮存的信息写入所选地址。而当写使能输入为低电平时,当许多输出和总线相连时,这个关态既不加载于也不驱动总线,但允许总线由其它有源输出端或一个无源输出所驱动读周期:
当写使能输入为高电平而片选输入为低电平时,存储器中贮存的信息在输出端是有效的。当片选输入为高电平时,输出被禁止。
符号 | 参数名称 | 74LS189 | 54LS189 | 单位 | |||||
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最小 | 典型 | 最大 | 最小 | 典型 | 最大 | ||||
Vcc | 电源电压 | 4.75 | 5 | 5.25 | 4.5 | 5 | 5.5 | V | |
VIH | 输入高电平电压 | 2.0 | 2.0 | V | |||||
VIL | 输入低电平电压 | 0.8 | 0.7 | V | |||||
IOH | 输出高电平电流 | -2.6 | -1.0 | mA | |||||
IOL | 输出低电平电流 | 24 | 12 | mA | |||||
tW | 写入脉冲宽度(写赋能为低) | 70 | 80 | ns | |||||
建立 | 写入脉冲前的地址 | 0↓ | 0↓ | ns | |||||
tsu | 时间 | 写入脉冲结束前的数据 | 60↑ | 80↑ | |||||
写入脉冲结束前的片选 | 60↑ | 80↑ | |||||||
保持 | 写入脉冲后的地址 | 0↑ | 0↑ | ns | |||||
th | 时间 | 写入脉冲后的数据 | 0↑ | 0↑ | |||||
写入脉冲后的片选 | 0↑ | 0↑ | |||||||
TA | 工作环境温度 | -40 | 85 | -55 | 125 | ℃ |
电 性 能:(除特别说明外,均为全温度范围)
符号 | 参数名称 | 测试条件 | 74LS189 | 54LS189 | 单位 | ||||
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最小 | 典型 | 最大 | 最小 | 典型 | 最大 | ||||
VIK | 输入钳位电压 | Vcc=最小 II =-18mA | -1.5 | -1.5 | V | ||||
VOH | 输出高电平电压 | Vcc=最小 VIL =最大 VIH=2V IOH=最大 | 2.4 | 2.4 | 3.1 | V | |||
VOL | 输出低电平电压 | Vcc=最小 VIL=最大 VIH=2V IOL =最大 | 0.5 | 0.25 | 0.4 | V | |||
IOZH | 高关态输出电流 | Vcc=最大 VIH=2.0V VIL=最大 Vo=2.7V | 20 | 20 | μA | ||||
IOZL | 低关态输出电流 | Vcc=最大 VIH=2.0V VIL =最大 Vo=0.4V | -20 | -20 | μA | ||||
II | 输入电流 (最大输入电压时 ) | Vcc=最大 VI=7V | 0.1 | 0.1 | mA | ||||
IIH | 输入高电平电流 | Vcc=最大 VI=2.7V | 20 | 20 | μA | ||||
IIL | 输入低电平电流 | Vcc=最大 VI=0.4V | -0.4 | -0.4 | mA | ||||
IOS | 输出短路电流 | Vcc=最大 VO=0V | -20 | -100 | -20 | -100 | mA | ||
ICC | 电源电流 | Vcc=最大(注) | 60 | 35 | 60 | mA |
注:测 Icc时,所有输出开路,赋能和片选输入接地,所有其它输入接 4.5V。所有典型值均在 Vcc=5.0V, TA=25℃下测量得出。交流(开关)参数:Vcc=5.0V, TA=25℃
符号 | 参数名称 | 从(输入) | 到(输出) | 测试条件 | 参数值 | 单位 | ||
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最小 | 典型 | 最大 | ||||||
ta(ad) | 地址存取时间 | 地址 | CL=45pF | 50 | 90 | ns | ||
ta(s) | 片选存取时间 | 片选 | 35 | 70 | ||||
ts(R) | 读出恢复时间 | RL=667Ω | 55 | 100 | ||||
高电平或低电 | 片选 | 30 | 60 | |||||
tPXZ | 平的截止时间 | 赋能 R/W | CL=5pF RL=667Ω | 40 | 70 |