功能表
功能 | 输 | 入 | 输出 |
---|---|---|---|
片选 | 写使能 | ||
写 | L | L | Z |
读 | L | H | 输入数据的补码 |
禁止 | H | × | Z |
H=高电平 L=低电平 ×=不定 Z=禁态(高阻态 )
说明:
这种 64位有源元件 TTL随机存储器(RAM)为4位16字结构,为反相三态输出。这种存储器是全译码的,具有简化译码所要求的片选输入,以达到扩展系统结构的目的。三态输出具有集电极开路输出所有的图腾柱输出的速度,它能通过总线与同类输出相连,而且它还保持了 TTL图腾柱输出所具有的上升速度快的特性。 写周期:
当片选和写使能输入为低电平时,加在数据输入端上的信息就写入所选中的区域。存储器中存储器输出被禁止为高阻态(三态)。而当写使能
输入为低电平时,当许多输出和总线相连时,这个关态既不加载于也不驱动总线,但允许总线由其它有源输出端或一个无源驱动力所驱动 读周期:
当写使能输入为高电平而片选输入为低电平时,存储器中贮存的信息在输出端是有效的。当片选输入为高电平时,输出被禁止。
推荐工作条件
符号 | 参数名称 | 74S189 | 54S189 | 单位 | |||||
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最小 | 典型 | 最大 | 最小 | 典型 | 最大 | ||||
Vcc | 电源电压 | 4.75 | 5 | 5.25 | 4.5 | 5 | 5.5 | V | |
VIH | 输入高电平电压 | 2.0 | 2.0 | V | |||||
VIL | 输入低电平电压 | 0.8 | 0.8 | V | |||||
IOH | 输出高电平电流 | -6.5 | -2.0 | mA | |||||
IOL | 输出低电平电流 | 12 | 12 | mA | |||||
tW | 写入脉冲宽度(写赋能为低) | 25 | 25 | ns | |||||
建立 | 写入脉冲前的地址 | 0↓ | 0↓ | ns | |||||
tsu | 时间 | 写入脉冲结束前的数据 | 25↑ | 25↑ | |||||
写入脉冲结束前的片选 | 25↑ | 25↑ | |||||||
保持 | 写入脉冲后的地址 | 0↑ | 3↑ | ns | |||||
th | 时间 | 写入脉冲后的数据 | 0↑ | 0↑ | |||||
写入脉冲后的片选 | 0↑ | 0↑ | |||||||
TA | 工作环境温度 | -40 | 85 | -55 | 125 | ℃ |
电 性 能:(除特别说明外,均为全温度范围)
符号 | 参数名称 | 测试条件 | 74Ⅱ | 54 | 单位 | ||||
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最小 | 典型 | 最大 | 最小 | 典型 | 最大 | ||||
VIK | 输入钳位电压 | Vcc=最小 II =-18mA | -1.2 | -1.2 | V | ||||
VOH | 输出高电平电压 | Vcc=最小 VIL =最大 VIH=2V IOH=最大 | 2.4 | 2.4 | 3.4 | V | |||
VOL | 输出低电平电压 | Vcc=最小 VIL=最大 VIH=2V IOL =最大 | 0.5 | 0.35 | 0.5 | V | |||
IOZH | 高关态输出电流 | Vcc=最大 VIH=2.0V VIL=最大 Vo=2.4V | 50 | 50 | μA | ||||
IOZL | 低关态输出电流 | Vcc=最大 VIH=2.0V VIL =最大 Vo=0.4V | -50 | -50 | μA | ||||
II | 输入电流 (最大输入电压时 ) | Vcc=最大 VI=5.5V | 1 | 1 | mA | ||||
IIH | 输入高电平电流 | Vcc=最大 VI=2.7V | 50 | 50 | μA | ||||
IIL | 输入低电平电流 | Vcc=最大 VI=0.5V | -250 | -250 | μA | ||||
IOS | 输出短路电流 | Vcc=最大 VO=0V | -30 | -100 | -30 | -100 | mA | ||
ICC | 电源电流 | Vcc=最大(注) | 110 | 70 | 110 | mA |
注:测 Icc时,所有输出开路,写使能和片选输入接地,所有其它输入接 4.5V。所有典型值均在 Vcc=5.0V, TA=25℃下测量得出。交流(开关)参数:Vcc=5.0V, TA=25℃
符号 | 参数名称 | 从(输入) | 到(输出) | 测试条件 | 参数值 | 单位 | ||
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最小 | 典型 | 最大 | ||||||
ta(ad) | 地址存取时间 | 地址 | CL=30pF | 25 | 50 | ns | ||
ta(s) | 片选存取时间 | 片选 | 18 | 25 | ||||
ts(R) | 读出恢复时间 | 22 | 40 | |||||
高电平或低电 | 片选 | 12 | 25 | |||||
tPXZ | 平的截止时间 | 赋能 R/W | CL=5pF | 12 | 30 |