ER139 四高精度电压比较器

ER139 最大电源电压:36V; 电源电流/通道:0.2mA(典型值); 最大输入偏置:300nA; 输出电流: 16mA(典型值);

使用温度范围 -55℃~ +125℃

封装形式陶瓷双列 14引线封装

说明:

ER139内含个独立的四高精度电压比较器,失调电压最大 2mV,可使用单电源或正 /负电源工作。其共模输入电压要求可达地电平。该电路主要由几个功能单元组成 :启动部分、偏置部分、差分电压比较器、开路输出驱动。启动部分电路主要由 JFET和两个二极管组成。由于在高电压下 JFET工作在饱和区,保证了不同工作电压下偏置电流基本不变。

电压比较器部分为了使得输入电压范围比较宽和达到地电平,差分放大部分电路采用 PNP管输入级。线路图

绝对最大额定值

电源电压(VCC)…………………………………………… 36V 输入电流(IIN)…………………………………………… 50mA 差模输入电压(VIDM)……………………………………… 36V 贮存温度(Tstg)………………………………………… -65℃~150℃ 引线耐焊接温度(10s)(Th)…………………………… 300℃ 结 温(Tj)……………………………………………… 175℃

电参数: 测试线路图

特性 符号 条 件 (除另有规定外, -55℃≤T A≤125℃, V cc=5V) 规 范 值 单位
最小 典型 最大
输入   Vcc=5V~30V, VO≈1.4V,RS=0Ω - - 9.0 mV
失调电压 VIO Vcc=5V~30V,VO≈1.4V,RS=0Ω,TA=25℃ - 2.0 5.0
输入 偏置电流 IIB IIN(+)或 IIN(-)在输出为线性范围内,VCM=0V - - 300 nA
IIN(+)或 IIN(-)在输出为线性范围内,VCM=0V, TA=25℃ - 25 100
输入   IIN(+)-IIN(-),VCM=0V - - 100 nA
失调电流 IIO IIN(+)-IIN(-),VCM=0V,TA=25℃ - 3.0 25
电压增益 AV RL≥15KΩ, Vcc=15V, VO=1V~10V,TA=25℃ 50 200 - V/mV
输出 阱电流 ISINK VIN(-)=1V, VIN(+)=0, VO≤1.5V,TA=25℃ 6.0 16 - mA
饱和电压 Vsat VIN(-)=1V,VIN(+)=0V,ISINK≤4mA - - 700 mV
VIN(-)=1V,VIN(+)=0V,ISINK≤4mA,TA=25℃ - 250 400
输出   VIN(+)=1V,VIN(-)=0V,VO=30V - - 1.0 µA
漏电流 IOUT VIN(+)=1V,VIN(-)=0V,VO=5V,TA=25℃ - - 1.0
电源电流 ICC RL=∞,Vcc=36,TA=25℃ - 0.8 2.0 mA
大信号 响应时间 tR1 VIN=TTL方波,VREF=1.4V,VRL=5V,RL=5.1KΩ, TA=25℃ - 300 600 ns
响应时间 tR2 VRL=5V, RL=5.1KΩ,TA=25℃ - 0.5 1.5 µs

特性曲线

源电流输入电流

输出饱和电压

各种过激的响应时间―负跃迁

各种过激的响应时间―正跃迁

应用线路

(a)V+=5.0VDC时

基本比较器

驱动 CMOS驱动 TTL

应用线路(续)

与门或门

(b)V+=15VDC

单触发多频振荡器

双稳定多频振荡器

各种过激的响应时间―正跃迁

应用线路

(a)V+=5.0VDC时

基本比较器

驱动 CMOS驱动 TTL

应用线路(续)

延时发生器

正相磁滞比较器反相磁滞比较器

应用线路(续)

方波振荡器基本比较器

限定比较器反极性输入电压比较

输出选通脉冲

应用线路(续)

晶控振荡器

二十进制高频航向控制震荡器

换能器放大器零交叉检波器(单电源)

应用线路(续)

(c)V+=+15VDC V― =―15VDC

MOS时钟驱动器

零交叉检波器含反向参考电压的比较器

ER139 技术支持