LT1162 半桥式/全桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器
LT®1160/LT1162 是成本效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。
内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特自适应保护电路取消了对两个MOSFET 的全部匹配要求。这极大地简化了高效率电机控制和开关稳压器系统的设计。
在低供电电压或启动条件下，欠压闭锁电路将主动地把驱动器输出拉至低电平，以防止功率 MOSFET 被部分接通。由于具有 0.5V 迟滞，因此即使在电源电压缓慢变化的情况下也能实现可靠的操作。
LT1162 是 LT1160 的双通道版本，采用 24 引脚P DIP 或24 引脚 SO 宽体封装。
产品特点 Features
参数 |
应用
典型应用图 |
LT1162 订购信息和价格参考Package Variations and Pricing
| 器件型号 | 封装 | 引脚 | 温度 | 价格 (以 1 ~ 99 片为批量) | 价格 (以 1000 片为批量) * |
| LT1162CSW | SO | 24 | C | $6.30 | $5.05 |
| LT1162CSW#PBF | SO | 24 | C | $6.30 | $5.05 |
| LT1162CSW#TR | SO | 24 | C | $5.15 | |
| LT1162CSW#TRPBF | SO | 24 | C | $5.15 | |
| LT1162ISW | SO | 24 | I | $7.30 | $5.85 |
| LT1162ISW#PBF | SO | 24 | I | $7.30 | $5.85 |
| LT1162ISW#TR | SO | 24 | I | $5.95 | |
| LT1162ISW#TRPBF | SO | 24 | I | $5.95 |
LT1162 数据手册及相关资料下载
- 数据手册(英文) : LT1160/LT1162 - Half-/Full-Bridge N-Channel Power MOSFET Drivers.PDF
- 应用指南 (英文) : AN73 - LT1339 Design Manual.PDF
- 可靠性数据 : R337 Reliability Data .PDF
