LTC4441-1 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器
LTC®4441 / LTC4441-1 是 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，能够提供高达 6A 的峰值输出电流。该芯片专为在高达 25V 的电源电压条件下运作而设计，并具有一个用于栅极驱动的可调线性稳压器。栅极驱动电压可设置在 5V 至 8V 之间。
LTC4441 / LTC4441-1 具有一个逻辑门限驱动器输入。可将该输入驱动至低于地电位或高于驱动器电源电压。该器件提供了一个双功能控制输入，用于停用驱动器或强制芯片进入电源电流 <12μA的停机模式。欠压闭锁和过热保护电路将在启动时停用驱动器输出。LTC4441 还具有一个漏极开路输出，该输出负责提供可调的前沿脉冲消隐，以防止在检测功率 MOSFET 的源极电流时产生振铃。
LTC4441 采用耐热性能增强型 10 引脚 MSOP 封装。LTC4441-1 是不具备脉冲消隐功能的 SO-8 封装版本。
产品特点 Features
参数 |
应用
典型应用图 |
LTC4441-1 订购信息和价格参考Package Variations and Pricing
| 器件型号 | 封装 | 引脚 | 温度 | 价格 (以 1 ~ 99 片为批量) | 价格 (以 1000 片为批量) * |
| LTC4441EMSE | MSOP | 10 | E | $2.14 | $1.80 |
| LTC4441EMSE#PBF | MSOP | 10 | E | $2.14 | $1.80 |
| LTC4441EMSE#TR | MSOP | 10 | E | $1.86 | |
| LTC4441EMSE#TRPBF | MSOP | 10 | E | $1.86 | |
| LTC4441ES8-1 | SO | 8 | E | $2.02 | $1.70 |
| LTC4441ES8-1#PBF | SO | 8 | E | $2.02 | $1.70 |
| LTC4441ES8-1#TR | SO | 8 | E | $1.76 | |
| LTC4441ES8-1#TRPBF | SO | 8 | E | $1.76 | |
| LTC4441IMSE | MSOP | 10 | I | $2.50 | $2.10 |
| LTC4441IMSE#PBF | MSOP | 10 | I | $2.50 | $2.10 |
| LTC4441IMSE#TR | MSOP | 10 | I | $2.16 | |
| LTC4441IMSE#TRPBF | MSOP | 10 | I | $2.16 | |
| LTC4441IS8-1 | SO | 8 | I | $2.38 | $2.00 |
| LTC4441IS8-1#PBF | SO | 8 | I | $2.38 | $2.00 |
| LTC4441IS8-1#TR | SO | 8 | I | $2.06 | |
| LTC4441IS8-1#TRPBF | SO | 8 | I | $2.06 | |
| LTC4441MPMSE | MSOP | 10 | MP | $7.79 | $5.45 |
| LTC4441MPMSE#PBF | MSOP | 10 | MP | $7.79 | $5.45 |
| LTC4441MPMSE#TR | MSOP | 10 | MP | $5.51 | |
| LTC4441MPMSE#TRPBF | MSOP | 10 | MP | $5.51 |
LTC4441-1 数据手册及相关资料下载
- 数据手册 (英文) : LTC4441/LTC4441-1 - N-Channel MOSFET Gate Driver.PDF
- 设计要点 (中文) : DN450 - 对于电源故障保护应用，超级电容器能够替代后备电池.PDF
- 设计要点 (中文) : DN485 - 完全利用能量以将超级电容器驾驭应用电路的运行时间延长 40%.PDF
- 可靠性数据 : R419 Reliability Data .PDF
- 产品选型卡 : PowerPath Controllers, Ideal Diodes.PDF
