DDR 存储器/总线终端

升压型稳压器
降压型稳压器
降压-升压型稳压器
负输出稳压器
SEPIC 稳压器
多拓扑结构 DC/DC
μModule 稳压器
反激式、正激式和隔离式控制器
数字控制稳压器
LCD/CCD/OLED 偏置
DDR 存储器/总线终端
照相机闪光灯电容器充电器
超低噪声稳压器
压电微型致动器驱动器
CPU 内核电源
DDR 存储器/总线终端:凌力尔特公司不断发展的总线终端产品库可提供电压模式和电流模式拓扑结构、非常低的输入电压以及可调开关频率操作。它们是 DDR、QDR、SSTL 和 HSTL 终端的理想选择。 (7)
型号 Vin Min Vin Max Output Current Monolithic Synchronous Multiple Output Comments Packages 数据手册DataSheet下载
LTC3413 2.5 5.5 3 yes yes no QDR and DDR Applications Only, Can Sink/Source 3A TSSOP-16E LTC3413
LTC3776 2.75 9.8 5 no yes yes Generates VDDQ and VTT; VTT sinks/sources current. Optional spread spectrum operation QFN-24, SSOP-24 LTC3776
LTC3717 4 36 20 no yes no Bus termination: QDR, DDR, SSTL SSOP-16 LTC3717
LTC3717-1 4 36 20 no yes no Current mode, DDR/QDR SSTL, HSTL Termination SSOP-16 LTC3717-1
LTC3718 1.5 36 20 no yes yes Bus termination: QDR, DDR, SSTL. Very low input voltage. provides its own 5V N-CH MOSFET gate drive SSOP-24 LTC3718
LTC3831 3 8 20 no yes no Bus termination: QDR, DDR, SSTL SO-8, SSOP-16 LTC3831
LTC3831-1 3 8 20 no yes no Bus termination: for 0.75V QDR, DDR, SSTL SO-8, SSOP-16 LTC3831-1