MGF0920A L & S BAND / 1.6W SMD non - matched

The MGF0920A GaAs FET with an N-channel schottky Gate, is designed for use UHF band amplifiers.

技术特性 Features
  • High output power
    Po=32dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=15dBm
  • High power gain
    Gp=18dB(TYP.) @f=1.9GHz
  • High power added efficiency
    add=45%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=15dBm
  • Hermetic Package
应用领域 APPLICATION
  • For UHF Band power amplifiers
订购信息 Ordering Information
  • MGF0920A

应用技术支持与电子电路设计开发资源下载 版本信息 大小
MGF0920A 数据资料DataSheet下载:PDF Rev.V2 2 页