RLDRAM

继SRAM 之后,美光和英飞凌合作共同开发了一种称为延时减小动态随机访问存储器(RLDRAM)的新型存储器,它具有更高的密度、更高的带带、更低的延时以及与SRAM相似的接口。

RLDRAM是专为解决延迟问题而设计的,因而在低延迟、高带宽SRAM市场上的普及率日益提高。RLDRAM 密度为288Mb和576Mb两种,其延时仅为15-20ns,而传统的SRAM延时超过40ns。RLDRAM还具有非常高的速度,在系统频为400Mhz时速率800Mbps,在533Mhz时甚至达1067Mbps,可提供28.8Gbps的吞吐量,采用了36bit接口。RLDRAM采用了可编程的BL2、BL4以及BL8总线,非常灵活,并集成ECC功能。因此,该存储器最适合用于路由器、交换机、带L3缓存的高端服务等高速网络应用。新一代的消费电子产品如HDTV和投影仪也是RSDRAM的目标应用。RLDRAM-II采用144-ball FBGA 11mm×18.5mm封装方式,提供高速数据传输性能的同时也保证了升级的方便。还有一点是,因为它是由英飞凌与美光联合开发,所以不存在独家供货问题,保证了供货渠道的多元化和良好的兼容特性。 RLDRAM已被网络和通信厂商采用。Xilinx和Altera都有针对RLDRAM与FPGA互连的开发工具。

RLDRAM II 特点
RLDRAM 关键技术

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