ADR425: 超精密、低噪声、5.00 V XFET® 基准电压源
ADR425 为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源,具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性,采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术,可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比,还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。ADR425 具有出色的噪声性能、稳定性和精度,非常适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚,在±0.5%范围内调整输出电压,其它性能则不受影响。ADR425 分为两种电气等级,额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围,提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装(后者比前者小30%)。
技术特性
- 低噪声(0.1 Hz至10 Hz)
ADR420: 1.75 μV 峰峰值
ADR421: 1.75 μV 峰峰值
ADR423: 2.0 μV峰峰值
ADR425: 3.4 μV峰峰值
- 低温度系数:3 ppm/°C
- 长期稳定性:50 ppm/1000小时
- 负载调整率:70 ppm/mA
- 电压调整率:35 ppm/V
- 低迟滞:40 ppm(典型值)
- 宽工作电压范围
ADR420: 4 V 至 18 V
ADR421: 4.5 V 至18 V
ADR423: 5 V 至18 V
ADR425: 7 V 至 18 V
- 静态电流:0.5 mA(最大值)
- 高输出电流:10 mA
- 宽温度范围:−40°C至+125°C
应用领域
- 精密数据采集系统
- 高分辨率转换器
- 电池供电仪器仪表
- 便携式医疗仪器
- 工业过程控制系统
- 精密仪器
- 光纤网络控制电路
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技术指标
- Vout: 5
- Initial Accuracy (%): 0.04
- Ref Out TC (ppm/C): 1ppm/C
- Initial Accuracy (mV): 2mV
- 0.1-10 Hz Noise (µV p-p): 3.4µV p-p
- Ref Output Current (mA): 10mA
- Min V Supply (V): 7V
- Max V Supply (V): 18V
- Supply Current : 500µA
功能框图
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订购指南
产品型号 |
封装 |
引脚 |
温度范围 |
包装和数量 |
报价*(100-499) |
报价*1000 pcs |
RoHS |
ADR425ARMZ 产品状态: 量产 |
8 ld MSOP |
8 |
工业 |
Tube, 50 |
$ 3.19 |
$ 2.88 |
Y 材料信息 |
ADR425ARMZ-REEL7 产品状态: 量产 |
8 ld MSOP |
8 |
工业 |
Reel, 1000 |
$ 0.00 |
$ 2.88 |
Y 材料信息 |
ADR425ARZ 产品状态: 量产 |
8 ld SOIC |
8 |
工业 |
Tube, 98 |
$ 3.19 |
$ 2.88 |
Y 材料信息 |
ADR425ARZ-REEL7 产品状态: 量产 |
8 ld SOIC |
8 |
工业 |
Reel, 1000 |
$ 0.00 |
$ 2.88 |
Y 材料信息 |
ADR425BR 产品状态: 量产 |
8 ld SOIC |
8 |
工业 |
Tube, 98 |
$ 6.00 |
$ 5.04 |
N 材料信息 |
ADR425BR-REEL7 产品状态: 量产 |
8 ld SOIC |
8 |
工业 |
Reel, 1000 |
$ 0.00 |
$ 5.04 |
N 材料信息 |
ADR425BRZ 产品状态: 量产 |
8 ld SOIC |
8 |
工业 |
Tube, 98 |
$ 5.27 |
$ 4.43 |
Y 材料信息 |
ADR425BRZ-REEL7 产品状态: 量产 |
8 ld SOIC |
8 |
工业 |
Reel, 1000 |
$ 0.00 |
$ 4.43 |
Y 材料信息 |
ADR425 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载
- ADR425 数据手册DataSheet 下载 . pdf
- ADI 模拟器件公司比较器产品选型指南 . pdf
- Analog Devices, Inc. 美国模拟器件公司产品订购手册 .pdf